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含Hg化合物的相对论赝势从头计算研究——HgX2(X=Cl,Br,I)的电子结构
电子结构 相对论赝势 含Hg化合物
2009/11/27
本文应用相对论赝势从头计算方法, 在不同基组水平上, 系统地研究了卤化汞(HgX_2, X=Cl,Br,I)系列的电子结构。表明除Hg的6s主要参与成键外, 5dz~2也起了重要的作用。并且随卤素原子序的增加, π成键作用也增强。同时还应用单电子自旋-轨道耦合方法, 研究了旋-轨耦合效应的影响, 指定了该系列化合物的光电子能谱。
Hg和Pb超变形带的精确计算
Pb超变形带 Hg
2009/7/31
利用从Bohr哈密顿量导出的转动谱abc公式E(I)=a[1+cL(I+1)][1+bI(I+1)－1],分析了已观测到的Hg和Pb同位素的超变形核转动带.计算结果与观测结果惊人地符合.几乎全部计算值与观测值的偏差│δ│≤0.5keV.对于这些超变形带中目前尚未测出的一些跃迁能量也进行了计算,可作为探测它们的有价值的参考.
在光学模型、预平衡激子模型、蒸发模型、核内级连、PICK-UP机制等理论的基础上, 对入射能到250MeV质子入射中重核204Pb, 206Pb,207Pb,208Pb,209Bi, 196Hg,198Hg,199Hg,200Hg, 201Hg,202Hg和204Hg反应进行了系统的计算, 重点对出射粒子能谱进行了仔细的研究. 结果表明, 能量较高时预平衡反应机制占主导地位, 出射粒子的能谱形状在...
采用在束气相热色谱的Hg元素分离方法和特殊的探测技术,测量了600MeV 18O束轰击厚天然铅靶生成的180Hg至209Hg计20余种放射性Hg同位素产物的独立截面,描写了实验装置、探测技术、γ谱分析以及从递次衰变子体的γ活性来提取Hg同位素生成截面的方法.
报道了600MeV 18O轰击natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.
用壳模型对208Tl、208Pb和206—208)Hg的非唯一型一级禁戒β跃迁用不同的有效相互作用和模型空间进行了系统计算,计算的比较寿命Iogf非常敏感的依赖于有效相互作用. 对206,208Hg的β衰变方式进行了比较.