搜索结果: 91-94 共查到“知识库 薄膜技术”相关记录94条 . 查询时间(0.781 秒)
TiNi形状记忆合金表面绝缘膜的原位生长过程和相结构
记忆合金 绝缘膜 生长过程 相结构
2010/3/10
采用原位水热化学合成法，在TiNi形状记忆合金表面制备了组成主要为TiO2的绝缘膜，并对此绝缘膜的生长过程、 形貌以及相结构等进行了研究。结果表明，该绝缘膜主要成分为Ti和O，其相组成为TiO2和TiO2-x(x≤0.2)。随着绝缘膜保温时间的延长，绝缘膜逐渐增厚，可以达到4～5μm。适宜的保温温度约为200℃，保温时间为8～12h。当保温时间超过16h时，绝缘膜开始产生裂纹。对绝缘膜电阻特性的测...
WC-8.0%Co基底上微波等离子化学气相沉积金刚石膜
WC-Co 刀具 金刚石膜 微波等离子化学气相沉积
2010/3/10
研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC-8.0%Co刀具质量的影响，研究了提高成核密度和沉积速率的方法，用SEM，XRD，激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量，用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。结果表明，在1∶3的稀盐酸中酸洗15 min后用氨水浸泡10 min的基片处理方法能有效地抑制金属钴的溢出，从而提高金刚石涂层的质量，并且使刀具使用寿命提高10倍以上...
导致金刚石薄膜不均匀沉积的机理
金刚石薄膜 不均匀沉积 机理
2010/4/6
以MPCVD法合成金刚石薄膜的实验结果为基础，深入分析了微波等离子体性质对金刚石薄膜沉积过程的影响，提出了解释金刚石薄膜不均匀沉积现象的新机理，即由微波等离子体中电子浓度的不均匀分布引起反应气相中过饱和原子氢浓度的不均匀分布所致.
用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜
钢 Si_3N_4薄膜 直流等离子化学气相沉积
2010/4/6
控制工艺参数，用直流等离于化学气相沉积（DCPCVD）装置，对碳钢、合金结构钢、高速钢等沉积Si3N4非晶态薄膜，并研究了薄膜的成分、结构、形貌及硬度.