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中国科学院微电子研究所专利：带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
2020年1月15日，中国科学院2021年度工作会议在北京召开，会上宣读并表彰了中科院2020年度科技促进发展奖，物理所碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队获奖。碳化硅 (SiC) 晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握 SiC 晶体生长和加工技术。SiC 晶体国产化，对避免我国宽禁带半导...