搜索结果: 1-15 共查到“集成电路技术”相关记录1842条 . 查询时间(2.3 秒)
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西安电子科技大学集成电路学部成立于2024年1月,学部是学校党政领导下的学术实体,统筹集成电路科学与工程一级学科和集成电路学院建设工作,支撑电子科学与技术一级学科建设,下设微电子学院、集成电路学院,以及宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室、宽禁带半导体国家工程研究中心、国家集成电路产教融合创新平台等三个平台。是国内较早开展微电子专业人才培养与科学研究的单位之一,是国家首批示范性微电子学院建设单...
南京理工大学微电子学院(集成电路学院)由南京理工大学、中国电子科技集团有限公司和南京市人民政府联合共建,于2022年9月召开揭牌成立大会。学院旨在服务国家战略需求,凝聚优势力量,培养高水平拔尖创新人才,力争建成“协同创新、产科教融合”的国内一流研究型学院,推动南理工“双一流”建设,助力我国集成电路产业高质量发展。
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上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”(图)
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日,第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开,光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展,集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
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中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
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中国科学院金属所等发明热发射极晶体管(图)
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小,其进一步发展的挑战日益增多。因此,探索具有新工作原理的晶体管,已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输,而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能,展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而,过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子,由于界面势垒的...
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国家自然科学基金委员会中国学者在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展(图)
有机半导体 集成电路
2024/8/25
在国家自然科学基金项目(批准号:52225304、52121002、52073210、52073210)等资助下,天津大学理学院胡文平/李立强团队在n型有机半导体的稳定性研究中取得进展,相关研究成果以“利用维生素C提高n型有机半导体的性能和稳定性(Improving both performance and stability of n-type organic semiconductors by...
1989年,原专用集成电路与系统国家重点实验室经国家计委批准建设,1995年,实验室建成通过验收,并于2002年、2007年、2012年、2017年分别通过重点实验室评估。2022年,在原专用集成电路与系统国家重点实验室的基础上,经科技部批准,集成芯片与系统全国重点实验室依托复旦大学重组建设,成为20家重组“标杆”实验室之一。实验室实行学术委员会指导下的实验室主任负责制,由刘明院士任实验室主任,郝...
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浙江大学集成电路学院成立于2023年12月,前身为成立于2015年6月的微纳电子学院(微电子学院),是教育部、发改委、科技部、工信部、财政部和外专局联合发文批准的第一批“国家示范性微电子学院”。学院立足于浙江大学自身学科优势和特点,先后承担各类科研项目200余项,获得国家科学技术进步一等奖1项、二等奖1项,国家技术发明二等奖1项。学院现任院长为集成电路制造技术专家、中国工程院院士吴汉明,名誉院长为...
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中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM:二维半导体自旋-轨道锁定涡旋光源(图)
张兴旺 二维半导体 集成 光子器件
2024/8/13
在集成光子器件领域,二维半导体材料由于具有独特的激子发光特性、优异的机械性能、高导热率和载流子迁移率等,在可集成光源器件上展现出独特的优势。尤为重要的是单层二维半导体具有原子级的平整度且没有悬挂键,因此易于与其他材料以范德华力实现异质集成,有效地避免了晶格失配问题,为高集成度、高性能的光源器件设计提供了新平台。然而,当二维半导体材料的厚度降至原子级时,材料与光场的相互作用很弱,发光效率受限。另外精...
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中国科学院微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展(图)
高性能 集成电路
2024/8/11
2024年7月15日,2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开,微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。
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中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展(图)
智能 激光 集成
2024/8/11
波长连续调谐(扫频)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光学相干层析成像(OCT)、调频连续波(FMCW)激光雷达、智能制造等领域有重要应用。在这些应用中,对可调谐VCSEL进行功率监测至关重要。此外,VCSEL具有单纵模、低功耗、易于二维阵列集成等优点,是垂直集成光子系统的理想光源。在未来用于人工智能和传感等领域的三维垂直集成光子系统中,具有宽带波长调谐和集成功率监测功能的VCSEL是关键器件。