搜索结果: 1-12 共查到“电子科学与技术 MOCVD”相关记录12条 . 查询时间(0.014 秒)
MOCVD装置是当今国际上，用于生长半导体单晶薄膜的先进设备。它广泛应用于制备航天太阳能电池，半导体激光器，光电阴极，发光管，微电子器件和各种量子阱结构材料。该装置利用了自己的专利技术制作成低压、气动旋转衬底座反应室，使得该装置拥有自主知识产权。该装置填补了国内卧式MOCVD反应室衬底旋转技术的空白，总体水平达到了国际上90年代同类产品的先进水平。为我国MOCVD技术发展，特别是MOCVD装置的制...
Cornell engineers and materials scientists have added a state-of-the-art tool to their suite of laboratory equipment that has helped make the university a world leader in the study of gallium oxide, a...
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。
第十一届全国MOCVD学术会议在苏州召开（图）
第十一届 MOCVD 学术会议
2010/1/25
2010年1月13日至14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜，在550 ~ 950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试.Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2.8eV的蓝光峰（BL）以及3.27eV附近的紫外峰（UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL/UVL）在550℃退火后...
用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
2008/3/16
采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在100~400℃低温范围内，在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向，(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...
MOCVD制备InxGa1－xN/GaN MQWs的温度依赖性
2007/8/20
利用方势阱模型对InxGa1－xN/GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对InxGa1－xN制备过程中的In组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的PL谱测量分析，得到了587℃～600℃的In组份最佳掺入温度区间.
中国科学院半导体研究所在“863”计划等项目的支持下，成功研制出具有自主知识产权的研发型MOCVD设备样机，并生产出性能优良的氮化镓材料。为了将这一成果早日实现国产设备产业化，2006年4月11日，该所与秦皇岛市政府、河北鹏远集团签订了半导体照明重大装备MOCVD项目合作协议。
Direct Growth of High-Quality InP Layers on GaAs Substrates by MOCVD
Metamorphic buffer layer LP-MOCVD HEMT
2010/12/7
In this report, we have overcome the drawback of surface roughness of metamorphic buffer layer by LP-MOCVD technique and have grown InP metamorphic buffer layers with various thickness on misoriented ...
MOCVD-Grown InGa/GaAs Emitter Delta Doping Heterojunction Bipolar Transistors
Delta doping Heterojunction bipolar transistor
2010/12/7
The influence of delta doping sheet at base-emitter (BE) junction for an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) with a 75Å undoped spacer layer is investigated. A common emitter curr...
Negative Differential Resistance Behavior in Delta-Doped AlInP Structure Grown by MOCVD
Delta-doped Resonant interband tunneling (RIT)
2010/12/7
An AlInP delta-doped schottky diode exhibiting negative differential resistance (NDR) behavior is demonstrated for the first time. The NDR characteristics with a peak to valley ratio of 5.5 and peak c...
Characteristics of MOCVD-Grown High-Quality CdTe Layers on GaAs Substrates
MOCVD-Grown High-Quality CdTe Layers GaAs Substrates
2010/12/14
CdTe epitaxial layers are grown successfully on a (100)-GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using dimethylcadrnium (DMCd) and diethyltelluride (DETe) as alkyl sources. The...