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论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250mm×15mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10-5,在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-...
文章摘要: 采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD), 使用高纯N2(99.999%)和CH4(99.9%)作反应气体, 在多晶Pt(99.99%)基片上沉积C3N4薄膜. X射线能谱(EDX)分析结果表明N/C原子比为1.0-1.4, 接近C3N4的化学比; X射线衍射谱(XRD)说明薄膜主要由β--和α--C3N4组成; X射线光电子谱(XPS)、傅...
采用直流等离子体财流CVD法在硬质合金基体上沉积了多晶金刚石薄膜,借助XRD、Raman光谱、SEM和EPMA等对金刚石薄膜及膜-基界面的结构、形貌和成分进行了研究.结果表明,结晶度高的刻面型金刚石薄膜质量、纯度较好,膜-基界面处较致密,机械锚固作用明显,结合性能较好沉积前后基体表面形貌变化很大,存在数十微米厚的脱钴-等离子体刻蚀层,等离子体刻蚀导致脱钻表面更加凹凸不平,为金刚石形核提供了有利条件...
利用简单的实验设备,特殊的金属丝作触媒,以SiO2和C为原料,利用碳热还原反应生成的SiO和CO,通过CVD(化学气相沉积)的方法快速合成α-SiC晶须用光学显微镜研究了晶须的生长速度,通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件、机理及生长动力学模型.

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