搜索结果: 1-15 共查到“材料科学基础学科 ZnO”相关记录19条 . 查询时间(0.125 秒)
采用静电纺丝技术及煅烧法制备了氧化锌纳米纤维，然后采用水热法将银纳米颗粒负载到了氧化锌纳米纤维表面.利用X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS），能量色散X射线光谱（EDX），扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）等技术对合成的Ag/ZnO纳米纤维的结构和组成进行了表征.SEM结果表明，直径在5~100 nm之间的银纳米颗粒附着在直径在80~330 nm之间的氧化锌纤维表面形成...
提升灵敏度以检测低浓度有毒有害气体是目前金属氧化物气敏传感器的一个重要发展方向。中科院过程工程研究所材料化学与应用技术创新团队利用水热-模板法制备了单层有序的ZnO微型防风林型气敏传感器，该材料可直接测量痕量（小于100 ppb）苯气体并具有良好的响应和恢复性能。
不同衬底对CBD法制备ZnO纳米棒阵列的影响
ZnO纳米棒 化学溶液沉积法 衬底 光学特性
2012/11/12
采用化学溶液沉积（CBD）法在3种不同衬底上生长ZnO纳米棒阵列, 并利用X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)、 原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究纳米棒的结构、 形貌和光学特性. 结果表明: 产物均为ZnO纳米棒状结构且均匀分布在衬底上, 其中在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底和玻璃衬底上生长的ZnO结晶质量优于在硅衬底上生长的样品, 而纳米棒在玻璃衬底上的覆盖密度最大...
利用晶种生长和溶液处理相结合的方法在气敏元件表面制备出了ZnO纳米火炬阵列薄膜,该方法在低温下进行,对环境友好且能耗低。对制得的薄膜进行XRD表征,结果表明其主要物相为纤锌矿ZnO;并对该薄膜进行FESEM表征,发现该ZnO纳米火炬呈中空形貌,高5μm,外径2μm,壁厚约200nm,且大小均一、排列有序。这些纳米火炬都是由粒径20nm左右的更细小的ZnO粒子组装而成。此外还讨论了ZnO纳米火炬结构...
锥状ZnO纳米结构薄膜的制备及其场发射特性
氧化锌 锥状 水热法 场发射特性
2014/3/26
以醋酸锌和氨水为原料,采用直接水热法制备锥形纳米ZnO。借助于XRD、SEM等测试手段,对锥状纳米ZnO薄膜的制备条件、场发射特性和稳定性进行分析研究。研究结果表明,水热法直接合成的锥状纳米ZnO具有良好的场发射特性,是场发射平板显示器阴极的理想材料。
Ga掺杂ZnO纳米粉体的合成及其光、电学性能研究
Ga掺杂ZnO 纳米粉体 光致发光
2009/11/18
利用简单的溶剂热法，在具有不同镓浓度的锌前驱体溶液中得到了Ga掺杂ZnO纳米粉体.采用X射线光电子能谱仪（XPS）、 X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、荧光光谱仪（PL）及霍尔效应测试(HES)等研究手段分别对样品的成分、形貌及光、电性能进行了研究．分析了前驱体溶液中镓浓度对产物光、电学性能的影响.
ZnO/SiC/Si异质结构的特性
ZnO/SiC/Si 异质结构 特性
2009/3/6
用MOCVD方法在p型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO...
电子辐照对ZnO/K2SiO3型热控涂层光学性能的影响
电子辐照 热控涂层 光学性能
2009/2/18
研究了电子辐照对ZnO/K2SiO3型热控涂层光学性能的影响。采用10，30，50和70keV的电子对试样进行辐照。在辐照前后对每一个试样的光谱反射系数进行了原位测量。根据Johnson太阳光谱分布计算了涂层的太阳光谱吸收系数。分析了电子能量对光谱反射系数和太阳光谱吸收系数的影响，并对红外区光谱反射系数的变化结果进行了讨论。实验结果发现电子辐照后ZnO/K2SiO3涂层的光学性能发生严重退化，退化...
采用溶胶-凝胶法制备了ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置, 考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响. 结果表明,退火温度越高, 多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强, 并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大, 透光率增加. 薄膜晶体结构为纯ZnO...
有序异形纳米ZnO材料的结构与性能相关性研究（在研）
结构 性能相关性 异形ZnO纳米材料
2008/12/5
实现异形ZnO纳米材料（片状纳米棒阵列，管状团簇，纳米管阵列、有序枝状阵列、纳米网格状结构）的有序构筑，获得各种异形纳米材料有序自组装的关键技术。对有序异形ZnO纳米材料的生长机理进行合理的解释。揭示有序异形ZnO纳米结构在高度有序和纳米尺度环境下的特殊效应。
透明导电氧化物ZnO：Al（ZAO）薄膜的研究
ZnO Al薄膜 电阻空间分布
2008/11/11
用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ薄膜, 研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌, 并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了ＸＰＳ和ＡＥＳ分析, 同时也讨论了薄膜的光学电学性能.
高分子络合法自组装ZnO纳米结构和形貌调控
低维氧化锌纳米结构 自组装 高分子络合 控制生长
2013/12/10
研究采用高分子络合法工艺制备ZnO纳米结构材料时晶体尺寸、形貌和质量的控制影响因素和机理.发现ZnO纳米结构的自组装生长由其极性生长特征和高分子网络骨架限域所决定.采用不同络合材料可调控ZnO纳米结构的形貌，如以聚乙烯醇、聚丙烯酰胺等高分子材料作为络合剂时，分别可以得到均匀直径的ZnO纳米棒、纳米线，而作为对比，当以氨水、柠檬酸钠和六亚甲基四胺等小分子材料作为络合剂时，则分别得到ZnO纳米花、纳米...
透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO) 的性能及其在有机发光二极管中的应用
ZnO Al薄膜 电学、光学性能
2008/9/11
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性。结果表明，多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有（002）面择优取向，c轴晶格常数大于0.52000nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω•cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳性的有机发光二...
高能ZnO基复合陶瓷线性电阻的制备
ZnO陶瓷 线性电阻 制备
2007/10/26
文章摘要：
在ZnO中添加Al2O3和MgO, 制备了高能ZnO基复合陶瓷线性电阻,其电阻率为5-1300Ω•cm、能量密度大于450J/cm3、电阻温度系数小且近于线性. 烧结温度、MgO添加量和降温速率分别对材料的电阻率、电阻温度特性以及线性度和能量密度有较大影响.