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中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置及方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积 薄膜
2023/10/18
本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置及方法,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与...
中国科学院金属研究所专利：一种在SiC纤维表面沉积薄膜的装置
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面沉积薄膜
2023/9/28
本实用新型涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,具体为一种在连续SiC纤维表面上沉积薄膜的装置,一方面在连续SiC纤维表面沉积出厚度均匀的薄膜；一方面解决沉积化合物薄膜靶材中毒的问题,实现沉积过程的连续性和稳定性。该装置设有靶材I、靶材II、工件转架、中频脉冲磁控溅射电源、磁控溅射真空室,工件转架置于磁控溅射真空室中,靶材I、靶材II在工件转架内外相对放置于磁控溅射真空室中,中频脉冲磁控溅射电源的阴极与靶...
中国科学院理化技术研究所专利：空气中燃烧合成Si3N4粉体及Si3N4/SiC复合粉体的方法
2D-C/SiC复合材料的单轴拉伸力学行为及其强度
2D-C/SiC复合材料 力学性能 残余应变 卸载模量 细观力学模型
2014/3/4
通过单调拉伸和循环加卸载试验, 研究了平纹编织C/SiC复合材料的损伤演化过程及其应 力-应变行为. 结果表明, 残余应变、卸载模量和外加应力的关系曲线与拉伸 应力-应变曲线具 有类似的形状. 基于剪滞理论和混合率建立了材料的损伤本构关系和强度模型, 分析计算表 明, 残余应变主要由裂纹张开位移和裂纹间距决定, 而卸载模量主要由界面脱粘率决定; 材 料的单轴拉伸行为主要由纵向纤维束决定, 横向纤维...