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利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、x射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮，室温载流子浓度为1．9×10 cm 和迁移率为6 214 cm ／V-s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0....
GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究
2007/8/20
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征，分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
Effect of In content of the buffer layer on crystalline quality and electrical property of In0.82Ga0.18As/InP grown by LP-MOCVD
In0.82Ga0.18As Buffer layer MOCVD
2011/12/15
The In0.82Ga0.18As grown on InP (1 0 0) substrates by low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) with twostep growth method was investigated. It was analyzed that the effect of In ...