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We report radiation hardness tests performed at the Frascati Neutron Generator on silicon Photo-Multipliers, semiconductor photon detectors built from a square matrix of avalanche photo-diodes on a si...
Ti-6Al-4V samples have been treated by PIII processing at different temperatures (400-800 ° C), treatment time (30-150 min) and plasma potential (100 and 420 V). Hardness measurements results showed a...
InBi0.85Sb0.15 single crystals have been grown by zone-melting method. The growth velocity was 0.8 cm/h and the freezing interface temperature was 35 °C/cm. A Vickers' projection microscope was used f...

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