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1-1
共查到
“
原子核物理学 NMOSFET
”
相关记录1条 . 查询时间(0.056 秒)
超深亚微米SOI
NMOSFET
中子辐照效应数值模拟
中子辐照
超深亚微米
SOI
NMOSFET
数值模拟
2011/8/24
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI
NMOSFET
的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理，数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1
Me
V的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI
NMOSFET
的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。
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