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碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究碳化硅热导率分子动力学点缺陷 2022/3/17

碳化硅（SiC）由于性能优异，已广泛应用于核技术领域。在辐照环境下，载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置，进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷，这些缺陷将改变材料的热物性能，劣化材料的服役性能。因此，本文利用平衡分子动力学方法（Green-Kubo方法）采用Tersoff型势函数研究了点缺陷对立方碳化硅（β-SiC或3C-SiC）热传导性能的影响规律。研究过程中考虑的点缺陷包括...