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近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定,刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为,该项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平,具有重大战略意义。

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