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CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究
化学沉积 CdS薄膜 CdCl2处理 退火
2009/5/11
用化学沉积方法在沉积温度为90 ℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究，发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶，晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶，而且晶粒增粗...
溶剂热合成CdS纳米棒及其与PVK复合薄膜的光电性质
CdS纳米棒 聚乙烯基咔唑(PVK) 表面光电压谱(SPS) 电荷转移
2013/10/14
利用Cd(CH3COO)2·2H2O与Na2S·9H2O, 以双齿络合剂乙二胺辅助水溶液通过溶剂热法合成了高产率的CdS纳米棒. X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果表明, 产物为六方纤锌矿相的三齿状CdS纳米棒, 直径约为10~15 nm, 臂长为100 nm左右; 利用旋转涂膜在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底制备了不同含量CdS与聚乙烯基咔唑(PVK)复合结构薄膜, 荧光光谱结果...
Physical Properties of CdS/ITO Thin Films Growth by CBD Technique with Substrate Oscillating Agitation
Cadmium sulphide Chemical bath deposition Oscillating agitation
2010/9/29
Cadmium sulphide (CdS) thin films deposited on indium tin oxide (ITO) substrates were prepared by chemical bath deposition technique by using different conditions to agitate the bath and the substrate...
A New Route for Preparing CdS thin Films by Chemical Bath Deposition Using EDTA as Ligand
CdS thin Films Chemical Bath Deposition EDTA Ligand
2010/10/22
Progress is reported towards the development of a new route to obtain cadmium sulfide (CdS) thin films by using ethylene-diamine-tetra-acetic acid (EDTA) ligand on the chemical bath deposition (CBD) m...