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中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种磁性碳化硅材料及其制备方法
中国科学院上海硅酸盐研究所 专利 磁性 碳化硅材料
2024/7/11
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种磁性碳化硅材料及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：晶体生长用坩埚以及释放碳化硅晶体热应力的方法。
上海高研院在高碳效费托合成制α-烯烃研究取得新进展（图）
合成 反应机理 活性 界面
2024/7/20
长链α-烯烃是聚烯烃产业升级、PAO润滑油生产及直链高碳醇的关键原料。商业化的α-烯烃主要通过乙烯齐聚制备得到，但其合成技术及80%以上全球产能受Chevron Phillips, Shell、Sasol、SABIC、Linde、INEOS等国外公司掌控。基于我国资源禀赋特征，发展费托合成制烯烃（FTO）技术是解决我国α-烯烃对外依存度过高、保障我国产业链和供应链安全稳定的重要手段。
中国科学院物理所实现柔性碳纳米薄膜的透明导电协同提升和大面积制备（图）
柔性 纳米 薄膜
2024/5/23
未来，电子、光电、能源等领域需要大面积柔性透明导电薄膜（TCF）。由于铟是不可再生资源且价格昂贵以及氧化铟锡固有的脆性，现代技术广泛应用的氧化铟锡TCF难以满足科技发展尤其是新一代柔性电子器件的需求。目前，科学家已开发出碳纳米薄膜、金属纳米线、导电高分子等替代氧化铟锡的透明导电材料。其中，碳纳米薄膜被认为是最有潜力的候选材料之一。然而，实现柔性透明导电薄膜广泛应用不仅要求其克服透光率和导电性之间的...
中国科学院物理研究所揭示硬碳负极支持钠离子电池快充机制（图）
钠离子电池 非晶态碳材料
2024/3/16
硬碳作为一种非晶态碳材料，其微观结构具有无序分布的类石墨层片、丰富的边缘和表面缺陷以及独特的纳米孔洞结构。作为钠离子电池负极材料时，硬碳在充放电过程中呈现出双电压区域特征：一个是在较宽电压范围的斜坡区（约1.1 V至0.1 V），另一个是低电压范围的平台区（约0 .1 V至0 V）。由于平台区容量对应的电压与钠金属的沉积电位相近，硬碳在高电压斜坡区与低电压平台区共存的储钠特征，使其被视为实现高功率...
中国科学院工程热物理研究所在超临界二氧化碳换热器灵活性设计研究方面取得新进展（图）
二氧化碳 循环 固体材料
2024/2/29
超临界CO2循环是目前国际上公认的具有高效灵活优势的新型动力循环之一，在电力调峰、新能源、船舰及航天推进等领域具有重要潜在应用。作为超临界CO2循环关键装备，高效灵活的换热器对于整个系统的高效紧凑和负荷响应速率非常重要。超临界CO2循环透平出口温度超过450 ℃，回热量约是蒸汽循环的3倍，在紧凑设计条件下热惯性不可忽略，循环负荷跟随特性受到明显制约。为解决上述问题，亟需开展换热器热惯性理论及缓和热...
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
本发明涉及一种用于红外-紫外波段的铯铅碳氧碘双折射晶体及制备方法和用途，该晶体化学式为Cs3Pb2(CO3)3I，分子量1120.04，属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为a=24.549(3)?，b=5.4233(8)?，c=12.8598(16)?，β=114.533(8)°，V=1557.5(4)?3，Z=4；该铯铅碳氧碘双折射晶体为正双轴晶体，nz-ny> ny-nx，透过范围为30...
本发明涉及一种化合物铷硼碳氧碘氢和铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，该晶体的分子式为Rb9[B4O5(OH)4]3(CO3)I?7H2O，分子量为1656.07，属于三方晶系，空间群为P-62c，采用水热法，通过程序降温或自然降温的方法即可得到铷硼碳氧碘氢非线性光学晶体。该晶体非线性光学效应为...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
温超导体研究领域取得新进展。团队通过理论模拟预测在碳原子形成的笼状网络晶体中存在100 K以上的超导电性，并指出碳笼耦合是高温超导电性的关键因素，该研究为探索新型轻质元素高温超导体提供了新的方向。相关研究成果以Superconductivity Above 100 K Predicted in Carbon-Cage Network为题于2023年10月10日发表在的Advanced Scienc...
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5～120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力...
本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法,属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形,然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜,最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜,或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料,保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形,从而实现了纳...
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法,以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道,以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下,金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应,并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管,获得半导体性单壁碳纳米管。利用光刻技术在Si/SiO2基体上沉积金属膜,并预氧化得到金属氧化物膜。单壁碳纳米管薄膜中与金属氧化物...