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利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法，系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应。计算表明：本征纳米带为金属，但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体。应变能有效地调控纳米带带隙的大小，适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙，这有利于光的吸收。应变也能改变纳米带的功函数，压缩应变能明显减小功函数，这有利于纳米带实现场发射功能。特别是应变能有效地调控纳...

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