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近日，我所陈平平博士提出的“InN-基全太阳光谱光伏材料的分子束外延生长和物性研究”获得2004年上海市光科技计划资助。InN及InGaN(富In)半导体是当今半导体领域研究热点,由于该材料体系很难生长，一直来对于其基本的物理性质如缺少认识。最近的研究表明该InGaN材料体系能带从0.7到3.4eV连续可调，为全太阳光谱光伏材料体系，理论研究表明由该材料制备的太阳能电池效率高于50%（高于目前所有...