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中国科学院微电子研究所专利:用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 Te-N 共掺 氧化锌薄膜
2023/7/6
二维BX(X=S,Se,Te)结构预测与性质的第一性原理研究
结构预测 电子结构 力学性质 载流子迁移率
2022/3/28