搜索结果: 1-15 共查到“知识库 粒子加速器其他学科”相关记录214条 . 查询时间(0.437 秒)
靶表面粗糙度对低能电子致厚Ni靶特征X射线产额的影响研究
表面粗糙度 蒙特卡罗 特征X射线产额
2022/3/16
1.3GHz超导加速模组振动响应有限元分析及测试
超导加速模组 有限元分析 随机振动响应 振动监测
2022/3/15
质子治疗机房中次级中子反射分布的模拟研究
质子加速器 中子防护 蒙特卡罗
2022/3/31
重离子治癌点扫描动态电流实时反馈系统设计
点扫描 SoC 光纤传输 PCIE
2022/3/24
基于中能段电子束离子阱的杂质光谱研究平台的概念设计
电子束离子阱 高电荷态离子 低温超导
2022/3/28
大功率辐照加速器磁场系统研制
聚焦线圈 扫描磁铁 扫描均匀度 扫描频率
2011/8/25
针对10 MeV大功率辐照加速器研制的需求,对其磁场系统进行研制,此磁场系统由聚焦系统和扫描系统组成。根据束流加速输运的磁场要求,进行了磁场设计、模拟计算。聚焦系统由6个聚焦线圈组成,每个线圈约束磁场的径向均匀区为4 cm,为加速管聚束段提供横向约束磁场,实测磁场分布与束流要求计算曲线分布基本吻合。扫描磁铁采用分体结构,扫描宽度为±334 mm,最大扫描频率为15 s-1,通过优化磁极结构,使扫描...
强流回旋加速器综合试验装置的研制
回旋加速器 主磁铁 高频系统 束流诊断
2013/9/9
为了实验研究强流回旋加速器的整机设计技术、主磁铁和束流诊断等关键部件的设计与加工工艺技术, 完成100 MeV回旋加速器的设计验证, 并为今后逐步提高流强创造试验条件, 目前在中国原子能科学研究院已建成一台10 MeV, 430 μA的强流负氢回旋加速器综合试验装置, 包括负氢离子源、轴向注入系统、中心区、主磁铁与主线圈、高频谐振腔、剥离引出系统等主体设备, 以及配套的高频功率源、各类高压、稳流电...
伴随粒子法瞬发γ能谱测量技术研究
D-T中子源 伴随γ粒子技术 特征瞬发γ
2011/8/17
采用伴随γ粒子符合方法测量了水、石墨、液氮样品的16O、12C、14N核素以及硝铵、三聚氰胺、尿素和模拟样品的D-T中子作用的非弹瞬发γ谱,利用反卷积对化合物的脉冲幅度谱进行了解谱,实验获得的元素份额与其化学成分比在10%内相符。
235U气溶胶粒度分布研究
气溶胶 径迹 化学蚀刻 粒度分布
2011/8/18
采用固体径迹探测技术测量了235U气溶胶的粒度分布。将特定条件下产生的235U气溶胶粒子收集在金属采样板上,将固体径迹探测片覆盖在235U气溶胶样品上辐照成像,采用化学蚀刻技术使其显影成像并放大,利用光学显微镜进行有关参量测量。在特定条件下,235U气溶胶的粒度分布在1.6~8.9 m范围内。
建立了一种回收微粒的新方法——抽气碰撞法。擦拭布上的铀微粒通过抽气碰撞装置回收到导电胶上,用于二次离子质谱仪(SIMS)对微粒的同位素丰度比测量。使用扫描电镜(SEM)寻找和统计擦拭布和导电胶上的微粒数目,计算装置的回收率。该装置对核孔膜上直径为0.5~20.0 μm的铅微粒回收率为(43±5)%,擦拭布上铀微粒回收率约为48%,回收微粒的分散性好。制备的样品可直接用于SIMS测量,SIMS对23...
基于EPICS的注入凸轨脉冲电源控制样机研制
中国散裂中子源 凸轨电源控制 WE7000
2011/8/22
中国散裂中子源(CSNS)快循环同步加速器(RCS)是一台高束流功率质子加速器,凸轨磁铁脉冲(BUMP)电源是CSNS注入系统的重要设备。根据CSNS工程建设的要求,需在预研阶段研制一套凸轨电源控制样机,用于研究和解决控制系统建造中的一些关键技术。注入凸轨电源样机通过横河公司生产的WE7000测量系统实现对脉冲电源的控制,根据物理设计需要可完成对电源的任意波形给定输出并实现对电源输出波形的回采显示...
基于EPICS的注入凸轨脉冲电源控制样机研制
中国散裂中子源 凸轨电源控制 WE7000
2011/8/22
中国散裂中子源(CSNS)快循环同步加速器(RCS)是一台高束流功率质子加速器,凸轨磁铁脉冲(BUMP)电源是CSNS注入系统的重要设备。根据CSNS工程建设的要求,需在预研阶段研制一套凸轨电源控制样机,用于研究和解决控制系统建造中的一些关键技术。注入凸轨电源样机通过横河公司生产的WE7000测量系统实现对脉冲电源的控制,根据物理设计需要可完成对电源的任意波形给定输出并实现对电源输出波形的回采显示...
亚微米特征工艺尺寸静态随机存储器单粒子效应实验研究
静态随机存储器 多位翻转 重离子加速器
2011/8/22
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸(0.35~0.13 μm)CMOS工艺、不同集成度(1M、4M、8M、16M)静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转(SEU)和单粒子闩锁(SEL)实验研究,给出了SRAM器件的SEU、SEL截面曲线。与μm级特征尺寸的器件相比,随特征尺寸的减小,单粒子翻转更加严重。测量到了令人关注的单粒子多位翻转(MBU)效应,对翻转位数进行了统计分析。M...
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算
质子 有效体积 单粒子翻转截面 多位翻转截面
2011/8/22
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。
上海光源的一级平面控制网
平面控制网 上海光源
2009/11/3
国家重大科学工程上海光源对加速器元件提出了亚毫米量级的超高定位精度要求。将一级平面控制网用于确定建筑和设备的相对位置关系,并为下级控制网提供高精度的基准数据。控制网的设计过程受建筑、设备的制约,测量过程中又面临不易观测、不利因素多等困难。经过不断优化设计和施测,最终在周长400m的大尺寸空间内取得了0.3mm的超高精度。通过对3次观测结果的比较,发现了地基随季节的周期性变化现象。