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近年来，美国对华半导体竞争呈现强化的态势。在拜登政府构建半导体产业联盟的过程中，盟国对美国的追随程度不尽相同。
随着电子器件的高频、高速以及集成电路技术的迅速发展，电子元器件的总功率密度大幅度增长而物理尺寸却越来越小，热流密度也随之增加，所以高温的温度环境势必会影响电子元器件的性能，这就要求对其进行更加高效的热控制。如何解决电子元器件的散热问题是现阶段的重点。因此，本文对电子元器件的散热方法进行了简单的分析。电子元器件的高效散热问题，受到传热学以及流体力学的原理影响。电气器件的散热就是对电子设备运行温度进行...
厦门大学集成电路科学与工程博士后科研流动站于2023年建站，依托于厦门大学电子科学与技术学院，具有雄厚的科研力量。
电磁与电子技术研究所成立于2003年，其前身是1952年成立的电机教研室，是我国最早从事特种电机研究的学科。隶属于电气工程一级学科、电机与电器国家重点二级学科。
专家谈术语|集成芯片
集成芯片 Integrated Chips 晶体管 集成电路
2024/9/19
过去几十年来，集成电路芯片遵循摩尔定律的发展，始终依靠尺寸微缩获得算力和性能提升。然而，当尺寸微缩开始接近物理极限，传统的集成电路芯片无法通过增加单位面积的晶体管数量提升计算规模和计算效率，因此，新兴的“集成芯片”(Integrated Chips)开始成为提升集成电路算力和性能的新途径。
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
基于ADRC的LCC-S谐振型无线充电副边闭环控制研究
无线充电 LCC-S谐振网络 闭环控制 自抗扰控制
2024/3/6
针对磁耦合谐振式LCC-S无线充电系统工作过程中易受外界或自身参数扰动的影响导致输出电流、电压偏离目标值的问题,以及如何快速准确地对扰动情况做出反应,提出一种基于自抗扰控制ADRC(active disturbance rejection control)的副边恒流恒压二段式闭环控制方法。首先,通过电路分析研究了LCC-S型谐振网络的输出特性与系统参数的关系;其次,为实现闭环精准调控系统输出,建立...
野外陆战环境下无人平台进行无线充电时,发射端和接收端耦合线圈的偏移和偏转会导致耦合线圈互感变化较大,为了解决这一问题,需要对无人平台无线充电时使用的耦合线圈进行特殊的结构设计。首先分析野外陆战环境下无线充电的战技指标,为实现螺线管SP(solenoid pad)型线圈和DD(double-D)型线圈的优势互补,设计满足野外陆战环境无线充电的高适应性的耦合线圈,提出了一种SP-DDP双层组合线圈(d...
SS型PT对称磁耦合无线电能传输系统特性分析
无线电能传输 磁耦合 宇称时间对称 特性分析
2024/3/6
为深入分析PT对称系统的电路特性,给实际系统设计提供理论准则,基于电路理论,从系统的工作原理出发对系统进行建模,证实了PT对称系统的工作机制实质为实本征态机制,并给出了系统结构以及运行模式和系统参数之间的数学关系,为实际系统的设计提供了参数准则。在此基础上,对比分析了不同实本征态的阻抗特性及能效特性,为实际系统的工作模式选取提供了理论依据。