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核心技术:低功耗设计,波形整形技术。成果体现形式:核心部件。技术成熟度:成品已批量应用。成果领先性:核心指标达到国际技术同等水平。
天堂之芯 第三百八十期。
厦门大学集成电路科学与工程博士后科研流动站于2023年建站,依托于厦门大学电子科学与技术学院,具有雄厚的科研力量。
过去几十年来,集成电路芯片遵循摩尔定律的发展,始终依靠尺寸微缩获得算力和性能提升。然而,当尺寸微缩开始接近物理极限,传统的集成电路芯片无法通过增加单位面积的晶体管数量提升计算规模和计算效率,因此,新兴的“集成芯片”(Integrated Chips)开始成为提升集成电路算力和性能的新途径。
天堂之芯 第三百七十三期。
22纳米集成电路核心工艺。
纳米集成电路关键技术及应用。
22-14纳米集成电路器件工艺先导技术。
基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术。
28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用。
28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用。
GJB7715-2012军用集成电路IP核通用要求。
随着可再生能源的快速发展,储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元,其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块,重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法,并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构,将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH,有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究,...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
成都市集成电路行业协会章程。

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