搜索结果: 136-150 共查到“知识库 电磁场理论”相关记录260条 . 查询时间(0.468 秒)
铁磁金属的表面阻抗与自旋波共振
2007/12/13
本文计算了铁磁金属在平行磁场中的表面阻抗。计算中考虑了交换作用所引起的磁化率空间色散及趋肤效应的反常性。分别讨论了磁矩的两种边界条件m=0和(?m)/(?n)=0。同时研究了导电电子在表面散射性质的影响。利用Азбель-Канер在迴旋共振理论中的方法,计算了考虑电导率旋磁性条件下的表面阻抗。
格林函数对S≥1/2情形下反铁磁性理论的应用
2007/12/13
利用双时间格林函数讨论了S≥1/2情形的各向同性反铁磁性理论,对立方晶体得到了基态能量,次点阵自发磁矩及平行磁化率的表达式。所得结果在低温时与自旋波理论作了比较,在高温时与已有的结果比较接近。理论给出了S≥1/2时在整个温度范围内近似适用的统一结果。
电、磁场作用于扁球边界面上的力矩
2007/12/13
本文研究电、磁场作用于扁球导体、磁导体上的力矩。根据基本解答和把体积力公式运用于扁球体面上后(包括平面上有半扁球形突面的边界问题〕,得出静电问题的较为普遍的解式。又由于静电、静磁张力公式的简单对应关系存在,故很容易把所得到的公式直接推广到对应的静磁问题上去,最后根据所得的解式,我们得到了若干有益的结论。
基于FDTD方法的脉冲磁场屏蔽效能的研究
2007/12/13
摘要: 为了解决实际工程中存在的线圈隔离问题，利用时域有限差分法对电感线圈的低频脉冲磁场屏蔽问题进行了建模和分析，研究了在不同的屏蔽材质下对脉冲磁场的屏蔽效果，为了解决在实际工程中存在的线圈隔离问题提供了可靠的理论依据。
铬-硅系统生成热、热容与磁化率的研究
2007/12/12
本文系应用在量热弹中燃烧试样的方法来测量Cr-Si系统化合物的标准生成热;应用“混合”法测定其热焓和热容,及应用“古伊”法测量磁化率;同时初步讨论了该系统各化合物的物理化学性质间的相互联系。
强磁场下横向输运过程的微扰理论
2007/12/12
本文利用文献[9]的理论,讨论了强磁场下输运过程中的几个问题。文章首先指出在朗道表示中的输运过程要明显考虑边界条件问题.对横向电导,在正确处理边界条件后,不需要解玻耳茲曼型的输运方程,并在任意级的微扰下,证明Titeica图象是正确的。其次讨论了外电场ω≠0时的解,及其向经典过渡的问题,指出在同样的ωH1,E0τ?1的条件下,量子解与经典解是不同的。最后,在附录中讨论了态密度积分引起的发散消除问题...
铁磁体中缺陷对自旋波的影响
2007/12/12
本文提出了一个处理磁性杂质或其他缺陷在磁性晶体中对自旋波频谱的影响的一般理论方法,并特别着重讨论了局域模自旋波。以一维线性格子为例进行计算的结果显示出:一个代位磁性杂质,可能产生不只一个高于连续带顶的局域模。其产生的条件和其能级位置均通过J′S′/JS和J′/J表达出来,这里S′和S各为杂质原子和基质原子的自旋量子数,J′和J各为杂质与近邻之间和一般近邻之间的交换作用系数。高度集中的应变和间隙原子...
磁场电流稳定器
2007/12/12
论文中所叙述的磁场电流稳定器是β谱仪的一部分。基本上它也能应用在其他需要稳定电流的仪器上。它能控制的电流最大可到100安。稳定的程度是在10分钟内电流的变动不超过0.02％。稳定器采用负反馈伺服控制原理。首先将通过标准电阻的直流电流的误差讯号加以放大。为了避免直流电压放大器的漂移效应,我们桥式式平衡调制器将直流讯号变成交变讯号后再用交流放大,然后用相灵敏解调器恢复直流讯号。在这一过程中需要的增益大...
均匀恒磁场中载流导线的磁场计算问题
2007/12/12
对于任意截面的载流导体在垂直均匀磁场中所生的影响问题研究得还不够,最近看到有关椭圆截面的导线表面上的磁场的文献。本文指出,如果导线的截面曲线是由保角变换得到的曲线坐标中的一个坐标等于常数表出,则此问题可以容易地解出,即导线内外的磁场可以求得。
用压电晶片法研究铁在稳定磁场中作横振动时的声频内耗
2007/12/12
用罗谢耳盐(NaKC4H4O6·4H2O)压电晶片测量铁在稳定磁场中作横振动时的内耗,所用的振动频率是1633周/秒。当磁场强度小於40—50奥时,内耗随着磁场强度而变化的曲线几乎是平的,其后则变化较快,在超过约150奥时,内耗的变化又渐越平缓,最后达到一个差不多恒定的最大值。这个内耗最大值在饱和磁场强度下并不降低,这种现象是以前所没有观察到的。根据初步的分析,认为所观察到的内耗舆铁磁性物质在磁场...
铁磁体中导电电子与自旋波的相互作用
2007/12/12
利用双时格林函数计算了s电子发射和吸收自旋波,以及s电子和自旋波相互散射引起之自旋波衰减。结果发现:在低温下,只有波矢在106至108范围内的自旋波才被s电子发射或吸收,由此引起之自旋波衰减比自旋波相互作用引起之衰减大得多。s电子散射自旋波引起之衰减小于自旋波相互散射引起之衰减,因而预测在106至108间将存在一个吸收带。
80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应
2007/12/12
文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×1013—7×1017cm-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。