搜索结果: 1-15 共查到“国际动态 半导体器件与技术”相关记录25条 . 查询时间(3.515 秒)
碳化硅走向“8英寸”（图）
碳化硅 8英寸 功率器件
2024/10/18
作为电力电子变换装置的“心脏”，碳化硅（SiC）功率器件有望引领未来能源革命。当前，正值碳化硅从6英寸向8英寸转型升级的过渡期。2024年以来，全球各大厂商纷纷传来关于8英寸碳化硅的最新进展。业内人士指出，碳化硅从6英寸转向8英寸是必然趋势，而8英寸量产将助推碳化硅产品走向规模化应用。
上海理工大学在ppb级MEMS气体传感器领域取得重要进展（图）
上海理工大 ppb级 MEMS 气体传感器 Nano Letters 三乙胺 半导体型
2024/10/14
近日，上海理工大学材料与化学学院王丁团队在MEMS气体传感领域取得重要进展，相关研究成果以“Ultrafast and Parts-per-Billion-Level MEMS Gas Sensors by Hetero Interface Engineering of 2D/2D Cu-TCPP@ZnIn2S4 with Enriched Surface Sulfur Vacancie...
近日，合肥工业大学微电子学院先进能源材料与器件实验室研究团队开发了一种基于K+ 掺杂的溶液加工制备无机硒硫化锑半导体薄膜的沉积技术，获得了η ~8.96% 的高效光电转换效率。器件的开路电压（Voc）达到0.69 V，是目前Sb2(S,Se)3光电器件中基于单结CdS电子传输层（ETL）的最高Voc之一。相关研究成果在线发表在半导体器件领域的国际著名期刊IEEE Electron Device L...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在下一代存算芯片领域取得重要进展（图）
李毅达 存算芯片 半导体
2023/11/29
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在下一代存算芯片领域取得重要进展，相关研究成果相继发表在国际顶级期刊Nature Communications、材料领域知名期刊Advanced Electronic Materials、ACS Omega（获选为封面文章）。
近日，2023年度集成电路设计领域顶级会议IEEE ESSCIRC在葡萄牙里斯本召开。南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组的论文“A 18.5-to-22.4GHz Class-F23 VCO Achieving 189.1dBc/Hz FoM Without 2nd/3rd-Harmonic Tuning in 65nm CMOS”入选了此会议。该论文的第一作者为深港微电子学院2022级硕士生...
高塔半导体与旭创合作开发多代硅光收发器
高塔半导体 旭创 硅光收发器
2023/11/12
在CIOE2023期间，，高价值模拟半导体代工解决方案的领导者Tower Semiconductor(“高塔半导体”或“高塔”)(纳斯达克/特拉维夫证交所：TSEM)和数据中心光学的领导者旭创科技（“旭创”），宣布合作开发基于高塔硅光工艺平台(PH18)的多代高速光收发器。随着生产的进行，这一战略合作伙伴关系有望实现尖端的解决方案，以支持人工智能、数据中心和下一代电信网络日益增长的需求。根据市场调...
南京工业大学柔性电子（未来技术）学院黄维院士、秦天石教授、王芳芳副教授团队在Nature Communications报道“榫卯结构”钙钛矿太阳能电池（图）
黄维 秦天石 王芳芳 Nature Communications 榫卯结构 钙钛矿 太阳能 电池
2024/4/16
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院黄维院士、秦天石教授、王芳芳副教授在高效稳定钙钛矿太阳能电池领域取得了重要成果，相关成果“Monolithically-grained perovskite solar cell with Mortise-Tenon structure for charge extraction balance”发表在国际权威期刊Nature Communications...
南京工业大学钙钛矿太阳能电池固铅策略登上《自然》杂志（图）
钙钛矿 太阳能电池 固铅 自然
2024/4/16
2023年5月25日，国际权威期刊《自然》在线发表了关于铅基钙钛矿太阳能电池中固铅方面的前瞻性文章（perspective），我校柔性电子（未来技术）学院/先进材料研究院张辉老师为本文第一作者，南京工业大学为第一作者单位。
西安电子科技大学郑雪峰教授、洪悦华博士：高温下NiOx/Ga2O3界面特性与传输导电机制的新发现（图）
郑雪峰 洪悦华 NiOx Ga2O3 界面特性 传输导电 Applied Surface Science
2025/2/5
西安电子科技大学郝跃院士团队郑雪峰教授、马晓华教授等报道了一种新型的原位变温X射线光电子能谱（XPS）表征方法，并基于此技术提出了能带弯曲与温度变化的理论模型。相关研究成果以“Demonstration on Dynamic Evolution of Energy Band Offsets Based in NiOx/Ga2O3 P-N Heterojunction Interface Under...
碳纳米管/硅范德华异质结因可室温制备、工艺简便、成本低等特点已被用于太阳能电池和光电探测器等研究中。在该异质结器件中，碳纳米管薄膜扮演p型功能层和透明电极的角色，因此，调控薄膜的功函数和透明导电性能对器件的光伏性能提升至关重要。半导体硅表面的缺陷很容易成为界面光生电荷的复合点，而钝化层的制备可以有效提高电子-空穴对的分离效率；常用的钝化层有a-Si:H、AlOx、SiOx等，但一般需要高真空设备且...
Desktop simulation of MIT.nano die bonder enables virtual tool training（图）
MIT.nano芯片 虚拟工具培训 半导体器件
2023/6/6
Packaging is the final step in the process for manufacturing a semiconductor device. A critical tool for packing is the die bonder, which facilitates device assembly typically by attaching a chip in a...
Silanna UV推出远紫外和深紫外LED新品
Silanna UV 远紫外 深紫外 LED
2022/10/17
近日，澳大利亚UVLED厂商的SilannaUV推出了最新远紫外和深紫外LED封装产品，新品利用了SilannaUV专有的短周期超晶格(SPSL)技术，该技术可为230-265nmLED器件提供高性能表现，包括为235nm器件提供量产产品中最高的输出功率。
ROHM针对包括PLC等控制装置在内的FA装置、调制解调器和路由器等通讯控制装置的指示灯和数字显示，研发出将微发光应用优化的1608尺寸（1.6mm×0.8mm）LED「CSL1901系列」。
韩国科学技术研究院开发出高可靠性人工突触半导体器件
韩国科学技术研究院 人工突触半导体器件 半导体器件 自然·通讯
2022/10/17
科技日报消息称，韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。