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搜索结果: 1-5 共查到flash memory相关记录5条 . 查询时间(0.078 秒)
Physical attacks are a known threat to secure embedded systems. Notable among these is laser fault injection, which is probably the most powerful fault injection technique. Indeed, powerful injection ...
Flash memory is well-known for its inherent asymmetry:the flash-cell charge levels are easy to increase but are hard to decrease.
A construction using the E8 lattice and Reed-Solomon codes for error-correction in flash memory is given. Since E8 lattice decoding errors are bursty, a Reed-Solomon code over GF(28) is well suited. T...
该项目主要研究内容为嵌入式Flash Memory IP软/硬核及其生成器技术。该项目已完成,现正在采用该技术设计开发军用密码ASIC电路,规模为7万门,内嵌 2K Flash Memory。技术完全成熟后,准备开发内含8K-64K的DSP、CPU及其他ASIC电路。该项目已获得了部分成果,有适合嵌入式0.5um Flash Cell结构设计、工艺流程、IP硬核与 Verilog描述,电泵电路设计...
Recently, a flash memory has become a major database storage in building portable information devices because of its non-volatile, shock-resistant, power-economic nature, and fast access time for read...

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