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搜索结果: 1-2 共查到电子科学与技术 AlGaN/GaN-HFETs相关记录2条 . 查询时间(0.032 秒)
GaN-on-Si is thought to be an approach for low cost RF power electronics [1]. However, the performance of the GaN-HFET devices is influenced by the Si-substrate properties, the buffer layer interfac...
GaN-on-Si is thought to be an approach for low cost RF power electronics [1]. However, the performance of the GaN-HFET devices is influenced by the Si-substrate properties, the buffer layer interfac...

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