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中国科学院半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器（图）
紫外激光器 氮化镓基材料 电流
2024/4/22
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
中国科学院金属研究所专利：基于单根孪晶结构GaN纳米线的紫外光电探测器及制备方法
中国科学院金属研究所专利：基于Pt纳米颗粒修饰GaN纳米线的紫外光电探测器及其制造方法
山东大学“稷下风”学术论坛-王幸福：新型GaN基微纳结构及光电器件。
采用p-InGaN/p+-GaN接触层的Ni/Pd基p型欧姆接触（图）
p型欧姆接触 氮化物材料 p-InGaN p+-GaN Journal of Semiconductors GaN基激光器
2022/10/4
近日，中国科学院苏州纳米所刘建平课题组通过采用在薄层（20~30 nm）的p-InGaN/p+-GaN接触层上沉积Ni/Pd 金属，获得了低阻的p型欧姆接触。在工作中研究了表面预处理和退火温度对接触的影响，最佳退火温度为550 ℃，当温度高于该温度时，薄层电阻增大。与单一的Ni接触层相比，含Pd金属体系的比接触电阻率低约35%，采用p-InGaN/p+-GaN复合接触层结构的比接触电阻率比单一的p...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在GaN基衬底调制无铅铁电薄膜的电卡效应研究方面取得重大突破，研究论文以“Pure negative electrocaloric effect achieved by SiN/p-GaN composite substrate”为题被国际顶尖学术期刊《Nano Energy》杂志接收发表。
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究
GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光
2022/3/11
本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR，对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异，详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理。研究结果表明，顶部反射镜是RCLED的重要组成部分，其反射率曲线特征决定器件的光输出性能。常规高反膜结构...
铁电薄膜同时具有较大的正、负电卡效应，在现代电子、通信、医疗、军事等领域有着广泛的应用前景。电卡效应具有高制冷性能，它的实际应用面临两个关键挑战：一是设计更合适的冷却系统，以保证更大的温度跨度和冷却效果；第二个是寻找更合适的材料，既保证了优良的制冷效果，又廉价易得。一个冷却循环中的负电卡效应可以通过在冷却过程中持续施加电场完成冷却过程，这将比使用单个正电卡效应或负电卡效应表现出更高的电卡效应。因此...
THERMAL TEXTURE GENERATION AND 3D MODEL RECONSTRUCTION USING SFM AND GAN
infrared images structure from motion generative adversarial networks object recognition deep convolutional neural networks
2018/6/4
Realistic 3D models with textures representing thermal emission of the object are widely used in such fields as dynamic scene analysis, autonomous driving, and video surveillance. Structure from Motio...
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电流密度、高开关速度和低导通电阻等优点，受到人们的广泛关注，使得GaN基HEMT器件成为下一代功率器件强有力的竞争者。然而，GaN器件与传统Si基器件不同,很难通过热氧化的方法获得低界面态密度的绝缘介质层。因此，如何降低界面态密度已经成为GaN基器件研究和应用的挑战之一。
为了提高氮化镓基蓝光发光二极管的发光提取效率，在其电流扩展层上生长光子晶体.讨论了光子晶体结构周期、刻蚀深度和占空比参数与提取效率的关系，并采用时域有限差分法进行模拟计算.结果表明在晶格周期为300 nm、占空比为60%和刻蚀深度为200 nm的条件下，生长光子晶体结构后，氮化镓基蓝光发光二极管的提取效率提升了27.93%.研究了激励源在光子晶体晶格周期内位置变化对提取效率的影响，拟合得到更符合实...
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
华南师范大学光电子材料与技术研究所 光电子器件与分析 课件 第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计
2014/7/2
华南师范大学光电子材料与技术研究所光电子器件与分析课件第13章 GaN基PIN紫外光电探测器的设计 。