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中国科学院深圳先进技术研究院专利:CZTS太阳电池的PN结及CZTS太阳电池器件的制备方法
中国科学院金属研究所专利:一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料
对GMSK+PN信号的调制方法与解调性能进行仿真模拟,实现了GMSK+PN信号的调制和接收解调过程,计算了不同信噪比条件下的平均误码率,提出了一种基于余弦方波成形伪码的联合调制方法,调整对PN信号的载波成形方式,提升了频谱滚降性能。实验结果表明,所提方法降低了数传码的解调误码率,有利于在信道条件较差的系统中实现无差错传输和正确分离测距伪码,可为同时实现数传和测距功能提供参考。
电子科技大学微电子器件课件2-7 PN结的开关特性。
电子科技大学微电子器件课件2-6 PN结的交流小信号特性与扩散电容。
电子科技大学微电子器件课件2-5 PN结的势垒电容。
电子科技大学微电子器件课件2-4 PN结的击穿。
电子科技大学微电子器件课件2-2 PN结的直流电流电压方程。
电子科技大学微电子器件课件2-1 PN结的平衡状态。
电子科技大学徐开凯课题组借助标准硅IC工艺研制出单片集成的全硅发光器件,实现基于PN结级联的高效多晶硅光源,在全硅半导体光电器件与集成技术领域取得新突破,为我国集成电路产业蓬勃发展奠定了坚实基础。
近年来,二维层状半导体显示出具有应用于下一代电子与光电集成系统的极大潜能。相较于单纯的二维材料,二维层状材料的异质结由于具有原子层厚度的陡峭界面,以及可调控的能带排列结构,更适合实现多功能的片上集成,引起了广泛关注。然而,现有研究多都停留在采用机械剥离再堆垛的方法得到垂直异质结,而这种方法由于得到的异质结形状尺寸不可控制,极大地限制了其未来的应用发展。相比较而言,通过直接生长的方法得到的异质结具有...
对直接序列扩频信号的PN码盲估计方法进行了深入分析,重点介绍了基于信号特征分析估计方法、基于特征多项式估计方法和基于相关运算估计方法,介绍了各种方法的来源、理论基础和发展历程,分析了各自的优缺点,提出了直扩信号PN码盲估计研究领域的进一步发展方向。
针对导弹主动防御应用中拦截导弹制导行为辨识问题,提出一种比例导引(PN)制导律多模型辨识滤波方法,对拦截导弹加速度和制导律导航常数进行辨识。采用非线性可观性理论对制导模型的可观性进行了分析。得出在拦截导弹使用PN制导律时,制导模型可观的充要条件。与以往工作相比,该方法考虑了拦截导弹末制导初期由于瞄准误差校正而引起的控制器饱和现象,在拦截导弹执行器处于饱和或退出饱和阶段都能精确对制导律进行辨识。另外...

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