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中国科学院高能物理研究所专利:中子位置探测器、探测系统和探测方法
质子打靶时刻T0作为中国散裂中子源(ChineseSpallationNeutronSource,CSNS)多物理谱仪的初始触发信号,其高准确性和高稳定性是谱仪高效运行的前提和基础。在实验物理和工业控制系统(ExperimentalPhysicsandIndustrialControlSystem,EPICS)平台上开发了一套CSNS多物理谱仪T0信号触发监测系统。T0信号接入T0扇出器标记高精度...
2021年12月4日,中国散裂中子源微小角中子散射谱仪(VSANS)散射腔系统在四川九天真空科技股份有限公司顺利完成出厂验收,标志着VSANS谱仪关键设备加工进入尾声,谱仪建设即将进入安装调试阶段。
2012年7月31日,中国散裂中子源(CSNS)中子束线开关系统样机在南京通过了鉴定和预验收。验收会由南京晨光集团有限责任公司副总工程师曹辉主持,中国散裂中子源副经理陈元柏研究员担任鉴定评审组组长。与会专家到样机装配现场实地考察,观看了实物运行演示,听取了项目组的“设计总结报告”、“研制总结报告”和测试组的“测试报告”。专家组经过认真讨论,认为该项目达到了样机的性能指标,同意通过预验收。
使用蒙特卡罗直接模拟程序计算了弱源点火条件下超瞬发临界5¢的GodivaⅠ快中子脉冲堆缓发中子发射率规律和脉冲引发时刻概率分布。计算结果表明,脉冲引发时刻概率分布的计算结果与实验结果符合较好,所获得的缓发中子发射率规律可合理解释引发时刻概率分布的实验结果。
基于虚拟仪器、现场总线控制等技术,设计、研制和应用了某两套快中子临界装置的计算机在线测量系统。该系统可实时监测温度、功率、增殖、周期、反应性、中子注量等状态、参数,提高了监测自动化水平,改善了人因工程特性。
设计建立了用于声空化核效应的中子测量系统,该系统由ST-451液闪探测器和BF3正比计数管组成,各中子谱仪的仪器精度<2.42%,并导出BF3正比计数管的中子探测灵敏度计算式。利用高压倍加器氘离子轰击D-Ti靶产生的2.45 MeV中子,对BF3计数管进行探测灵敏度标定。利用BF3正比计数管测量声空化核效应实验的声核中子,由此估算有效中子发生率为7.0×104~8.0×105 s-1。
用多箔活化法测定了由AmBe中子源慢化屏蔽系统构成的中子活化在线分析系统样品处的中子能谱。 根据待测场点的中子注量率水平, 选用了5种非裂变核材料箔, 其中4种是中能区和热区的, 1种是快区的, 给出了各箔片的特性参数。 通过在待测场点对箔片进行辐照, 并测量其生成放射性核的γ放射性, 计算出了各箔片的活化率。 运用SANDII和MSIT迭代方法, 解出了待测场点的中子能谱。 详细分析了数据处...
针对神光Ⅲ原型激光装置上中子活化样品的传递问题,研究并设计了“跑兔”系统。 介绍了神光Ⅲ原型装置上跑兔系统的结构与布局设计, 采用气动方程详细计算并分析了样品传输过程中气源压力、 润滑剂粘滞系数及样品盒与管壁的间距变化对样品速度变化的影响。 结果表明, 跑兔装置可在2.24 s的时间范围内将样品传输到指定位置, 基本达到了系统设计要求。 数值模拟结果可对“跑兔”系统的参数选取提供数值参考。 
采用蒙特卡罗方法对中子针孔成像系统进行了点扩展函数(PSF)的模拟研究, 利用高斯拟合的数学方法分析比较了几种不同条件下该系统的PSF。 研究结果表明, 在偏离量较小时, 利用高斯拟合得到的中子针孔成像系统的PSF是可行的, 而采用挡板可以很显著地减少拟合误差和提高其空间分辨率。
中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source, CSNS)快循环同步加速器(Rapid Cycling Synchrotron, RCS)磁铁由24块二极磁铁、48块四极磁铁、16块六极磁铁和若干斜四极磁铁以及校正磁铁组成, 其中二极磁铁和四极磁铁是带直流偏置的25Hz正弦交流励磁, 铁芯和线圈导体将产生不可忽视的涡流效应. 为了积累批量生产磁铁的制造经验, 探索...
光刻度系统是中子墙探测器系统的重要组成部分, 用于中子墙前端电子学的刻度和探测器工作性能变化的监测. 通过对基于发光二极管(LED)作为光源的中子墙光刻度系统方案开展了细致的测试研究, 确定了基于快脉冲驱动的大功率蓝光LED(3W)的中子墙光刻度系统方案, 对中子墙探测单元进行了初步刻度测试, 刻度结果能很好地满足光刻度要求, 表明对于快塑料闪烁体探测器该方案是一种较为理想的方案.
北京散裂中子源(BSNS)的主加速器——快循环同步加速器(RCS)采用H-剥离注入方法, 将从直线加速器预加速的束流进行累积和进一步加速. 束流损失率的控制是该类高功率质子加速器所面临的关键问题之一, 而束流损失中很重要的部分是由空间电荷效应造成的. 为了减小该类束流损失, 注入系统设计中利用H-剥离注入和相空间涂抹方法将直线加速器预加速的发射度较小的束流尽可能均匀地涂抹到较大的横向相空间中. 与...
文章研究了25keV附近中子平均俘获截面随质量数A、有效激发能U及能级密度参数α的系统学依赖性。给出系统学公式为 〈σ_(nγ)〉=0.3482A~(-1.033)U~(-0.2438)α~(0.8569)exp{1.011(αU)~(1/2)}
一、引言 兰州大学强中子发生器于1988年通过部级鉴定,氘离子束达30 mA,中子产额达3×10~(12)s~(-1)。然而,由于它是采用混合离子束,靶寿命只有十几个小时。 在聚变堆第一壁材料研究中,要求的累计中子注量超过10~(17)cm~(-2)。因此,辐照时间需几百小时。因为氚靶价格昂贵,用混合离子束进行材料辐照损伤研究,其费用是很高的。

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