搜索结果: 1-11 共查到“薄膜物理学 ZnO”相关记录11条 . 查询时间(0.125 秒)
从晶体取向特点探讨ZnO薄膜的晶体不完整性
氧化锌薄膜 晶体取向 取向柱状多晶体
2009/11/23
用MOCVD法在蓝宝石衬底上得到了ZnO(0002)膜, 并用XRD和SEM进行了表征. 结果表明， 薄膜中沿［0001］择优取向生长的柱状晶垂直于衬底表面, 晶柱之间存在着边界和间隙. X射线Ф扫描实验结果表明, 晶柱之间的取向偏差在3°~30°之间. X射线ω摇摆曲线和谱线宽度分析结果表明, 薄膜中的晶柱是由多个晶粒堆叠而成, 且晶粒之间的平均取向偏差也在2.6°以上. 实验结果表明, ZnO...
采用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜.通过XRD分析表明，未掺杂ZnO薄膜沿c轴择优生长，掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长，薄膜为纳米多晶结构.应用AFM观测所有薄膜的表面形貌，掺杂使ZnO薄膜表面粗糙.室温光致发光谱显示，薄膜出现了395?nm的强紫光和495?nm的弱绿光带.Nd掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度减弱，Nd与Fe...
ZnO∶Eu3+纳米晶的制备及发光性质研究
ZnO∶Eu3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光
2009/5/7
为了探讨稀土Eu3+与纳米ZnO基质之间的能量传递，利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了ZnO∶Eu3+纳米晶，测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。X射线衍射结果表明，ZnO∶Eu3+具有六角纤锌矿晶体结构。观察到稀土Eu3+强而窄的特征发射和ZnO基质弱而宽的可见发射。分析了稀土Eu3+激发态5D0→7F1,5D0→7F3和5D0→7F2特征发射机制。给...
磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究
ZnO薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 光致发光
2009/5/7
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜，利用X射线衍射、扫描探针显微镜及荧光分光光度法研究了生长温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明，合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量；在室温下测量样品的光致发光谱(PL)，观察到波长位于400 nm左右的紫光、446 nm左右的蓝色发光峰及502 nm左右微弱的绿光峰，随衬底温度升高，样品的PL谱中紫光...
稀土Tb3+掺杂纳米ZnO的发光性质
ZnO∶Tb3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光 能量传递
2009/4/24
ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料(Eg=3.4 eV)，具有优异的晶格、光学和电学性质，稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re3+纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)，在不同退火温度下，制备了不同浓度的ZnO∶Tb3+纳米晶。室温下，测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。观察到纳米ZnO基质在520 n...
80 keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响
ZnO薄膜 N离子注入 X射线衍射 透射电镜
2010/4/14
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品， 注量分别为5.0×1014， 5.0×1015和5.0×1016 ions/cm2， 然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明， 由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中， 注入5.0×1015 ions/cm2时， 观测到缺陷生成和局域无序化现象， 但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向； 随着注量...
第四届全国ZnO学术会议通知（第一轮）
第四届 ZnO 学术会议
2009/3/31
第四届全国ZnO学术会议拟定于2009年8月在北国春城-长春召开。会议由中国物理学会发光分科学会主办，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办。
氧氩比对纳米ZnO薄膜蓝光发射光谱的影响
纳米ZnO薄膜 蓝光发射 射频磁控溅射法
2010/5/4
利用射频磁控溅射方法，在石英表面上制备了具有良好的c轴取向的纳米ZnO薄膜。室温下，在300 nm激发下，在450 nm附近观测到ZnO薄膜的蓝光发射谱(430～460 nm)。分析了气氛中氧气与氩气比对薄膜质量及蓝光发射光谱的影响，给出了纳米ZnO薄膜光致发光谱(PL)的积分强度和峰值强度与氧氩比关系。探讨了纳米ZnO薄膜的蓝光光谱的发射机制，初步证实了ZnO蓝光发射(2.88～2.69 eV)...
利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜，再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结，并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响，测量不同沉积时间制备的...
退火对ZnO:Al薄膜光致发光性能的影响
溶胶-凝胶法 ZnO:Al薄膜 退火处理
2009/2/7
采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备ZnO:Al（AZO）薄膜，通过不同温度的退火处理，研究了退火对AZO薄膜结构和光致发光特性的影响。XRD图谱表明：所制备的薄膜具有c轴高度择优取向，随着退火温度的升高，(002)峰的强度逐渐增强，同时(002)峰的半高宽逐渐减小,表明晶粒在不断增大。未退火样品的光致发光（PL）谱由361 nm附近的紫外带边发射峰和500 nm附近的深能级发射峰组成。样品经退火后...