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搜索结果: 1-12 共查到光学 Photoluminescence相关记录12条 . 查询时间(0.062 秒)
We present both theoretical and experimental results on fluorescence of single defect centers in diamond nanocrystals embedded in a planar dielectric microcavity. From a theoretical point of view, we ...
Eu3--doped C;dzMo309 was prepared by solid-state reaction method using Na2C03 as flux and characterized by pow-der X-ray iliffractometry . According to X-rq diffraction, this material belonged to a te...
专著信息 书名 Electron-irradiated liquid encapsulated Czochralski grown undoped gallium antimonide studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence 语种 英文 撰写或编译 作者 Ma,S K,Lui,M K,Ling,C C,Fung...
期刊信息 篇名 Annealing effects on the microstructure and photoluminescence properties of Ni-doped ZnO films 语种 英文 撰写或编译 作者 Qiu DJ,Wu HZ(吴惠桢),Feng AM,Lao YF,Chen NB,Xu TN 第一作者单位 刊物名称 APPLIED SURFACE SCIENCE...
期刊信息 篇名 Comparison of ultraviolet photoluminescence characteristics between MgZnO and ZnO thin films 语种 英文 撰写或编译 作者 Chen NB,Qiu DJ,Wu HZ(吴惠桢),et al 第一作者单位 刊物名称 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES...
期刊信息 篇名 Photoluminescence of ZnSe-ZnS SQWs Grown by Vapor Epitaxy 语种 英文 撰写或编译 作者 Y.M.Lu,D.Z.Shen,Y.C.Liu,J.Y.Zhang,X.W.Fan 第一作者单位 刊物名称 Chin. Phys. Lett 页面 19(1) (2002)131. 出版日期 2002年 月 日 文章标识(ISSN) 相关...
期刊信息 篇名 Zinc Oxide Nanorods and Their Photoluminescence Property 语种 英文 撰写或编译 作者 DAI Ying,ZHANG Yue,PEI Xinmei,CHEN Wen 第一作者单位 刊物名称 Journal of Wuhan University of Technology - Mater. Sci. Ed. 页面 3 (200...
期刊信息 篇名 Photoluminescence spectrum ofstraight GaN nanowires 语种 英文 撰写或编译 作者 J.Y.Li, X.L.Chen 第一作者单位 刊物名称 J. Materials Science Letters 页面 2001,20,757-758 出版日期 2001年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 GaN单晶生长的研究
Efficiently luminescent composite fibers of poly (vinyl pyrrolidone) (Mw1 300 000) and europium complex Eu(TTA)3(TPPO)2 (TTA is thenoyltrifluoroacetone; TPPO is triphenylphosphine oxide) were prepare...
Composite fibers of poly(vinyl pyrrolidone) (PVP, Mw  1 300 000) and europium complex Eu(BA)3(TPPO)2 (BA )1-benzoylacetone; TPPO ) triphenylphosphine oxide) with strong photoluminescence were prepare...
Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were produced by electron beam evaporation of Al2O3 on InP. Polyphosphate thin films of thickness 100-150 Å were used to passivate the interface In...
Optical absorption and photoluminescence (PL) measurements were carried out in both undoped and Fe-doped samples and the effect of Fe doping on absorption and PL spectra were studied. The results show...

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