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为研究光伏探测器瞬态响应特性在短脉冲激光作用下的变化规律，以一种室温下零偏压工作的HgCdTe光电二极管为实验对象，测量了该器件对脉冲宽度约16 ns的不同强度响应波段内激光的响应信号波形。在探测器的对数线性响应区内，随着入射激光能量密度从约7.2 nJ/cm2增大到75 μJ/cm2，响应波形的宽度逐渐增大，半高宽约由55 ns增大到235 ns，底宽约由170 ns增大到380 ns。脉冲响应...
Fine structure of "zero-mode" Landau levels in HgTe/HgCdTe quantum wells
Fine structure；HgTe/HgCdTe quantum wells
2010/11/25
HgTe/HgCdTe quantum wells with the inverted band structure have been probed using far infrared
magneto-spectroscopy. Realistic calculations of Landau level diagrams have been performed to
identify t...
HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定
正电子湮没 碲镉汞半导体缺陷 汞空位
2008/1/26
提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τb为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τd为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.
HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究
2007/8/20
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域；对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
B+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析
2007/8/20
运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法，模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱，结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现，并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射率和消光系数等相关参量，所得结果与微分Hall法测试的结果是一致的.计算结果也表明B+注入HgCdTe导致红外透射率变化的根本原因是注入层的高载流子浓度的等离子效应改变了该层的折...