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MOCVD反应器中流场和热场的数值研究

http://www.firstlight.cn2013/9/16

[作者] 钟树泉 任晓敏 黄永清 王琦 黄辉

[单位] 北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室

[摘要] 利用二维动力学模型, 通过变化MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数, 计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化, 描述了输运过程中产生的多种流动现象, 并给出了相应的分析与说明. 在此基础上, 通过微扰反应器的进气量, 计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为, 分析了延迟时间、驰豫振荡、…

[关键词] 晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场

利用二维动力学模型, 通过变化MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数, 计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化, 描述了输运过程中产生的多种流动现象, 并给出了相应的分析与说明. 在此基础上, 通过微扰反应器的进气量, 计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为, 分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因, 为高品质外延生长工艺的设计与实施, 提供了有益的解决途径.

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原文发布时间:2009/11/15

引用本文:

钟树泉;任晓敏;黄永清;王琦;黄辉.MOCVD反应器中流场和热场的数值研究http://igsnrr.firstlight.cn/View.aspx?infoid=3274961&cb=Z10100000000
发布时间:2009/11/15.检索时间:2024/12/16

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