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半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
近日，南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展，相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
2016/12/29
分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT...
背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计
高量子效率 AlGaN 日盲紫外探测器
2016/9/2
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设...
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究
AlGaN 日盲探测器 PVDF 热释电效应
2016/9/2
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly（vinylidene fluoride）（PVDF）热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照射至器件上时，测量PVDF两端的热释电响应光谱，测得峰值响应在入射光波长为260 nm处，响应电压高达129.6 mV（此时辐射功率为39.8 nW）。器件响应机理为：紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收，产生光生载流子并复合生热，热...
283 nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器
紫外探测器 AlGaN 日盲 量子效率
2016/8/30
实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的AlGaN基p-i-n结构材料，通过对工艺流程的优化设计，制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器，获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%，n区Al组分为65%。探测器为直径500 μm的圆形，光谱响应起止波长为260~310 nm，峰值响应波长283 nm。零偏压下，暗电流密度为2.7×10-10 ...
AlGaN深紫外光电探测器响应时间分析
AlGaN pn 光电探测器 响应时间
2012/4/18
利用ＭＯＣＶＤ方法在蓝宝石衬底上制备了高质量的ＡｌＧａＮ薄膜材料，并用传统的紫外光刻技术和湿度刻蚀方法将生长出来的材料制备成深紫外光电探测器件；利用ＫｒＦ激光器的２４８ｎｍ波长的光作为激发光源，测试了器件在３Ｖ偏压下的响应时间，最小达到了０３２ｍｓ，分析比较了正入射和背入射２种结构的响应时间。
GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究
透射光谱 光散射 消光系数
2009/10/15
利用透射光谱矩阵光学原理，对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上，添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量，拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明：外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度，从而对样品质量作出详细的分析.
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
2009/5/27
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体，研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小，随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大，却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降，从而提高了GaN与Al0.27...
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
2009/5/25
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．
Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
ohmic contacts heterostructure AlGaN/GaN heterostructure
2011/5/10
Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures which have low contact resistance and good surface morphology are required for the development of high temperature, high power and high frequency electron...